Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
7表面の室温酸化の促進効果吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
高輝度放射光を利用したO 1s及びSi 2pリアルタイム光電子分光によって、Si(111)-77表面の酸化の進行に伴う酸素結合配置及びSi酸化状態を識別し、それらの生成に対する並進運動エネルギー(Ek)の役割を詳細に調べたので報告する。実験は、SPring-8のBL23SUの表面反応分析装置(SUREAC2000)において行った。Ek=1.17eVとした時、(1)Si(111)-77表面へのバックフィリング酸化後に観測される分子状化学吸着種(paul oxygen)の生成が観測されず、また(2)ad及びtri oxygenの生成までの待機時間が存在することから、これらが初期生成物でないこと、(3)Si
とSi
酸化状態が照射直後から観測される等がわかった。低いEk条件と大きく異なる結果を得た。酸化初期にins oxygenが生成することを考慮すると、Ekによってins oxygenの生成確率が変化し、これが初期吸着確率の増減を支配する原因と考えられる。
吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
走査型トンネル顕微鏡(STM)により、超音速酸素分子線によるSi(111)-77の室温酸化後の表面状態を実空間「その場」観察したので報告する。実験は、SPring-8のBL23SUのSUREAC2000にて行った。広範囲の観測では、分子線照射後の表面には、明瞭なステップとテラスからなる構造が確認された。テラス部分には77構造は観察されず、凸凹がランダムに分布していた。放射光リアルタイムXPS測定から得られた結果に対応するEkの増加に伴い酸化物成長が促進されたことが示唆された。
分子線によるNi(111)表面の酸素初期吸着確率の運動エネルギー依存性井上 敬介*; 寺岡 有殿; 川上 泰典*; 平谷 篤也*
no journal, ,
本研究では、Ni(111)表面を超音速酸素分子線を用いて酸化し、放射光光電子分光で表面酸化状態を観察した。一連の測定は室温下で行った。超音速酸素分子線を照射し、放射光エネルギーを680eVとして、Ni3pとO1sの内殻光電子スペクトルを測定した。それを繰り返すことで、各分子線運動エネルギーにおける初期吸着曲線を測定した。酸素分子線の入射エネルギーが約1.0eVまで初期吸着速度は増大したが、それから2.2eVまで若干の減少がみられ、2.3eVでは再び急激に増大した。これらの結果から新たな吸着機構の存在を見いだした。
中の実測有効減衰長と非弾性平均自由行程計算値の比較井上 敬介*; 神農 宗徹; 寺岡 有殿
no journal, ,
本研究ではSiO中の光電子の実測有効減衰長と非弾性平均自由行程計算値の比較を行った。試料としてSiO極薄膜付きのSi(001)基板を使用した。放射光のエネルギーを400
1700eVとし、Si 2pの光電子スペクトルを測定して、有効減衰長のエネルギー依存性を調べた。有効減衰長にはSiO膜厚依存性はなく、SiO膜の膜質は一定であった。サブオキサイド(Si
, Si
, Si)をバルク(Si基板)側に含めるか、無視するか、SiO膜に含めるかにより有効減衰長に差が生じた。サブオキサイドをバルク側に含めるときTPP-2MというIMFPの計算値と最も近い値となった。